• 日本超真空技术的完美体现;
• 可达到10E-8Pa超高真空;
• 适合永磁材料等非氧化物薄膜材料研究,
也适用于铁电材料等各类薄膜材料;
• 薄膜生长速率稳定,膜厚精确控制;
• 双层靶构造;
• 可同时放置9个靶材;
• 配置靶材遮挡板;
• 备选部件灵活搭配;
• 按客户需求定制;
• 先进的自控系统;